Технология получения пленочных гетороструктур на основе КРТ для фотоприемников ИК-диапазона

БГТУ, Химии, технологии электрохимических производств и материалов электронной технки
Технология полупроводниковых приборов изделий
Технология получения пленочных гетороструктур на основе КРТ для фотоприемников ИК-диапазона.
Минск 2016

Оглавление
Введение 4
1 Аналитический обзор литературы 6
1.1 Требования к эпитаксиальным структурам для ИК-датчиков. 6
1.2 Свойства твердого раствора КРТ 8
1.3 Методы получения эпитаксиальных слоёв твёрдых растворов HgCdTe 18
1.3.1 Жидкофазная эпитаксия 20
1.3.2 Молекулярно-лучевая эпитаксия 23
1.4 Управление проводимостью. 31
2 Инженерные решения 32
3 Технологический раздел 35
3.1 Описание технологической схемы 35
3.2 Описание основного аппарата молекулярно-лучевой эпитакии STE3526 36
3.3 Технологические расчеты 38
3.3.1 Обоснование единичной загрузки пластин 39
3.3.2 Расчет единичной загрузки. 40
3.3.3 Расчет времени цикла 41
3.3.4 Расчет материального баланса процесса молекулярно-лучевой эпитаксии пленки Hg0.8Cd0.2Te 44
3.3.5 Расчет скорости производства и коэффициента загрузки оборудования 50
3.3.6 Расчет расхода основных исходных компонентов на заданную программу выпуска 51
4 Мероприятия по охране труда и окружающей среды 52
Список использованных источников 53

Курсовая работа состоит из четырех основных разделов.
В первой разделе курсовой работы произведен аналитический обзор литера-туры по основным физико–химическим свойствам и методам выращивания теллу-рида кадмия-ртути.
Во втором разделе приняты и обоснованы инженерные решения по получению пленки теллурида кадмия-ртути.
В третьем разделе представлено описание технологического цикла процесса вы-ращивания и технологические расчеты по выращиванию теллурида кадмия-ртути методом молекулярно-лучевой эпитаксии.
В четвертом разделе основные требования и правила охраны труда и окружа-ющей среды.
Графическая часть включает:
–– 1 лист А4
– аппаратурно–технологическую схема – 1 лист А1.